Au cours des quatre dernières décennies, le développement de l'industrie microélectronique a donné le ton à la production de matériaux ultra-minces (avec une microstructure nanométrique) et ultra-purs (sans impuretés ni défauts) qui garantissent une augmentation de l'efficacité fonctionnelle de leurs parties avec le plus petit volume possible. L'objectif global de ce travail était de synthétiser (dépôt et recuit) des films ferroélectriques de titanate de plomb (PT) déposés sur un substrat Pt/Ti/SiO2/Si <100>.

La méthode utilisée a été la CVD-AA pour les raisons mentionnées ci-dessus. En général, dans ce type de films, le recuit est une étape nécessaire pour obtenir la phase pérovskite (ferroélectrique) souhaitée.

Le travail comprend leur analyse thermo-gravimétrique respective et leur caractérisation cristallographique et microstructurale. Parmi les résultats obtenus, nous pouvons mentionner que les films présentent une bonne homogénéité chimique et structurelle au niveau micrométrique, les phases présentes dans les films correspondent à celles souhaitées, où les domaines ferroélectriques ont été observés.

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