Negli ultimi quarant'anni, lo sviluppo dell'industria microelettronica ha fatto tendenza alla produzione di materiali ultrasottili (con microstruttura nanometrica) e ultrapuri (senza impurità o difetti) che garantiscono un aumento dell'efficienza funzionale delle loro parti con il minor volume possibile. L'obiettivo generale di questo lavoro è stato quello di sintetizzare (deposizione e ricottura) film ferroelettrici di titanato di piombo (PT) depositati su substrato Pt/Ti/SiO2/Si <100>.

Il metodo utilizzato è stato il CVD-AA a causa di quanto detto sopra. In generale, in questo tipo di film, la ricottura è una fase necessaria per ottenere la fase perovskita (ferroelettrica) desiderata.

Il lavoro comprende le rispettive analisi termo-gravimetriche e la caratterizzazione cristallografica e microstrutturale. Tra i risultati ottenuti possiamo citare che i film hanno presentato una buona omogeneità chimica e strutturale a livello micrometrico, le fasi presenti nei film corrispondevano a quelle desiderate, dove sono stati osservati i domini ferroelettrici.

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