Окислительно-восстановительные мемристорные устройства, работающие за счет миграции кислорода, перспективны для хранения данных в будущем. Броунмиллеритовые структуры, такие как SrCoO2.

5 и SrFeO2. 5, обеспечивают обратимые топотактические фазовые переходы, оптимизируя окислительно-восстановительное и резистивное переключение в мемристивных устройствах.

Проблемы тонких пленок SrCoO2. 5 решаются с помощью атомарно плоского SrFeO2.

5, демонстрирующего улучшенные характеристики. Эпитаксиальный рост на [111]-ориентированном SrTiO3 усиливает контролируемую миграцию ионов кислорода, обеспечивая высокую стойкость и быстрое переключение.

Рентгеновская абсорбционная спектроскопия выявляет роль фазового перехода на основе окислительно-восстановительных процессов, а устройства, ориентированные по [111]-му уровню, демонстрируют локализованные переходы. Устройства на основе SrFeO2.

5 (111) демонстрируют многообещающую функциональность синаптической памяти, способствуя созданию нейросетевой модели с точностью ~90 % при идентификации написанных от руки номеров. .