Os semicondutores compostos II-VI são de grande importância devido à sua aplicação em vários dispositivos electro-ópticos. As películas finas de ZnS têm muitas outras aplicações na área do fabrico de dispositivos opto-electrónicos, como díodos emissores de luz UV, díodos emissores de luz azul, ecrãs planos emissivos, dispositivos electroluminescentes e revestimento antirreflexo na tecnologia de células solares.

Foram utilizados vários métodos para preparar películas finas de ZnS. Depositámos películas de ZnS através do método de deposição por banho químico, utilizando hidróxido de sódio como agente complexante.

As características estruturais e morfológicas das películas foram investigadas por difração de raios X (XRD) e microscópio eletrónico de varrimento. A DRX mostra que a película depositada é de natureza policristalina com estrutura cúbica.

O tamanho do grão é estimado em 35-70 nm. A cristalinidade da película de ZnS foi analisada por HRTEM com a ajuda do padrão de difração de electrões.

As películas apresentam boas propriedades ópticas com elevada transmitância na região do visível e o valor do intervalo de banda foi de 3,3 eV - 2,1 eV. As películas de ZnS podem ser utilizadas como camadas tampão em células solares de CdTe.

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